Электронно-ионный микроскоп ZEISS Crossbeam 350

Crossbeam 350 — это электронно-ионный микроскоп для задач обратной инженерии и формирования трехмерных нанообъектов. Crossbeam 350 готовит однородные срезы толщиной 10 нм с помощью ионного пучка и препарирует поверхность с точностью 3 нм по вертикали.

Область применения

Электронная промышленность, аэрокосмические технологии, материаловедение, наука о жизни, наноструктурирование, атомная промышленность, химия

Информационная поддержка По всем возникающим вопросам

Сервисное обслуживание Диагностика, калибровка, поверка, расходные материалы

Доставка по РФ Транспортная компания, самовывоз, транспорт нашей компании

Характеристики

Тип катода Шоттки
Разрешение электронной колонны 0,7 нм при 30 кВ в режиме СТЭМ // 0,9 нм при 15 кВ // 1,7 нм при 1 кВ // 2,5 нм при 0.2 кВ
Разрешение электронной колонны при пониженном давлении 1,4 нм при 3 кВ и давлении 30 Па1,0 нм при 15 кВ и давлении 30 Па
Ускоряющее напряжение электронной колонны 20 В – 30 000 В
Разрешение ионной колонны 3 нм при 30 кВ
120 нм при 1 кВ
330 нм при 500 В
Ускоряющее напряжение ионной колонны 0,5 – 30 кВ
Ток ионного пучка 1 пА – 100 нА
Перемещения рабочего столика X = 100 мм, Y = 100 мм, Z = 50 мм
Вращение 360 градусов
Наклон от -4 до +70 градусов
Ось M* = 13 мм
* Ось, перпендикулярная падающему пучку ионов
Тип столика Комбинированный эвцентрик.
Детекторы Стандартные:
Боковой вторичных электронов
Внутрилинзовый вторичных электронов
Опциональные:
Сдвоенный внутрилинзовый детектор вторичных и обратно-рассеянных электронов
Вторичных электронов при переменном давлении
Обратно-рассеянных электронов
Катодолюминесцентный
СТЭМ
Вторичных электронов и вторичных ионов
Масс-спектрометр вторичных ионов
ЭДС, ВДС, ДОЭ и др.

Crossbeam 350 работает с диэлектрическими образцами, которые нельзя предварительно готовить – такие образцы он исследует при пониженном до 500 Па давления в камере или при сниженном до 20 В ускоряющем напряжении.

Crossbeam 350 исследует газящие и разрушающиеся под действием радиации образцы — полимеры, химические вещества, суспензии – при низких ускоряющих напряжениях в 20 В. Это увеличивает поверхностную чувствительность, уменьшает зарядку непроводящих образцов и повреждение чувствительных к пучку электронов образцов. В результате микроскоп исследует диэлектрические образцы с нанометровыми областями интереса без предварительной пробоподгототовки, что также ускоряет процесс ионной резки.

Режим пониженного давления NanoVP позволяет работать с реальными образцами без пробоподготовки. В этом режиме внутрилинзовые детекторы вторичных и обратно-рассеянных электронов могут использоваться одновременно при пониженном до 150 Па давлении.

Давление может быть снижено до 500 Па, тогда изображение строит специальный детектор вторичных электронов при переменном давлении, VPSE.

Конструкция колонны Crossbeam 350 минимизирует магнитные поля на поверхности образцов. Микроскоп изображает диа-, пара- или ферромагнитные образцы с разрешением 4 нм при рабочем расстоянии 2 мм и напряжении 1 кВ.

Электронная «оптика» получает предельные результаты и при работе опционального детектора СТЭМ: 0,7 нм при 30 кВ. Таким образом, большинство задач трансмиссионной (просвечивающей) электронной микроскопии (ТЭМ) Crossbeam 350 решает и без использования микроскопа ТЭМ.

Ионная колонна с галиевым источником автоматически режет и получает изображения с высокой точностью при низких ускоряющих напряжения, что гарантирует резку хрупких и не стойких к радиации образцов. Скоростью резки – ламель 50*20 мкм2 за 25 минут.

Опциональная электронная пушка для нейтрализации заряда на полупроводниковых образцах позволяет резать непроводящие материалы с высокой точностью и одновременно получать изображение поверхности.