Характеристики
| Тип катода | Шоттки |
| Разрешение электронной колонны | 0,6 нм при 30 кВ в режиме СТЭМ 0,7 нм при 15 кВ 1,4 нм при 1 кВ 1,2 нм при 1 кВ* 1,6 нм при 0.2 кВ** с опцией приложения напряжения к столику для образцов |
| Ускоряющее напряжение электронной колонны | 20 В – 30 000 В |
| Разрешение ионной колонны | 3 нм при 30 кВ 120 нм при 1 кВ 330 нм при 500 В |
| Ускоряющее напряжение ионной колонны | 0,5 – 30 кВ |
| Ток ионного пучка | 1 пА – 100 нА |
| Перемещения рабочего столика | X = 100 мм, Y = 100 мм, Z = 50 мм Вращение 360 градусов Наклон от -4 до +70 градусов Ось M* = 13 мм * Ось, перпендикулярная падающему пучку ионов |
| Тип столика | Комбинированный эвцентрик |
| Детекторы | Стандартные: Боковой вторичных электронов Внутрилинзовый вторичных электронов Опциональные: Сдвоенный внутрилинзовый детектор вторичных и обратно-рассеянных электронов Вторичных электронов при переменном давлении Обратно-рассеянных электронов Катодолюминесцентный СТЭМ Вторичных электронов и вторичных ионов Масс-спектрометр вторичных ионов ЭДС, ВДС, ДОЭ и др. |
Crossbeam 550 решает задачи обратной инженерии и формирования трехмерных нанообъектов:
- получает трехмерные изображения с разрешением 0,7 нм
- в течение нескольких минут изготавливает однородные срезы толщиной 10 нм
- препарирует поверхности с точностью 3 нм по вертикали.
Crossbeam 550 исследует газящие и разрушающиеся под действием радиации образцы — полимеры, химические вещества, суспензии — при низких ускоряющих напряжениях в 20 В. Это увеличивает поверхностную чувствительность, уменьшает зарядку непроводящих образцов и повреждение чувствительных к пучку электронов образцов. В результате микроскоп исследует диэлектрические образцы с нанометровыми областями интереса без предварительной пробоподгототовки, что также ускоряет процесс ионной резки.
Внутрилинзовые детекторы вторичных и обратно-рассеянных электронов изображают поверхность образцов одновременно. Изотропное разрешение FIB-SEM томографа — 3 нм.
Конструкция колонны Crossbeam 550 минимизирует магнитные поля на поверхности образцов. Микроскоп изображает диа-, пара- или ферромагнитные образцы с разрешением 4 нм при рабочем расстоянии 2 мм и напряжении 1 кВ.
Электронная «оптика» получает предельные результаты и при работе опционального детектора СТЭМ: 0,6 нм при 30 кВ. Таким образом, большинство задач трансмиссионной (просвечивающей) электронной микроскопии (ТЭМ) Crossbeam 550 решает и без использования микроскопа ТЭМ.
Ионная колонна с галиевым источником автоматически режет и получает изображения с высокой точностью при низких ускоряющих напряжения, что гарантирует резку хрупких и не стойких к радиации образцов. Скоростью резки — ламель 50*20 мкм2 за 25 минут.
Опциональная электронная пушка для нейтрализации заряда на полупроводниковых образцах позволяет резать непроводящие материалы с высокой точностью и одновременно получать изображение поверхности.
