Электронно-ионный микроскоп ZEISS Crossbeam 550

Crossbeam 550 — флагман линейки электронно-ионных микроскопов ZEISS, который создает и исследует новые изделия и технологии, а также изображает поверхность любых объектов с нанометровым разрешением.

Область применения

Электронная промышленность, аэрокосмические технологии, материаловедение, наноструктурирование, наука о жизни, химия, атомная промышленность, подготовка образцов для ТЭМ (ламелей)

Информационная поддержка По всем возникающим вопросам

Сервисное обслуживание Диагностика, калибровка, поверка, расходные материалы

Доставка по РФ Транспортная компания, самовывоз, транспорт нашей компании

Характеристики

Тип катода Шоттки
Разрешение электронной колонны 0,6 нм при 30 кВ в режиме СТЭМ
0,7 нм при 15 кВ
1,4 нм при 1 кВ
1,2 нм при 1 кВ*
1,6 нм при 0.2 кВ** с опцией приложения напряжения к столику для образцов
Ускоряющее напряжение электронной колонны 20 В – 30 000 В
Разрешение ионной колонны 3 нм при 30 кВ
120 нм при 1 кВ
330 нм при 500 В
Ускоряющее напряжение ионной колонны 0,5 – 30 кВ
Ток ионного пучка 1 пА – 100 нА
Перемещения рабочего столика X = 100 мм, Y = 100 мм, Z = 50 мм
Вращение 360 градусов
Наклон от -4 до +70 градусов
Ось M* = 13 мм
* Ось, перпендикулярная падающему пучку ионов
Тип столика Комбинированный эвцентрик
Детекторы Стандартные:
Боковой вторичных электронов
Внутрилинзовый вторичных электронов
Опциональные:
Сдвоенный внутрилинзовый детектор вторичных и обратно-рассеянных электронов
Вторичных электронов при переменном давлении
Обратно-рассеянных электронов
Катодолюминесцентный
СТЭМ
Вторичных электронов и вторичных ионов
Масс-спектрометр вторичных ионов
ЭДС, ВДС, ДОЭ и др.

Crossbeam 550 решает задачи обратной инженерии и формирования трехмерных нанообъектов:

  • получает трехмерные изображения с разрешением 0,7 нм
  • в течение нескольких минут изготавливает однородные срезы толщиной 10 нм
  • препарирует поверхности с точностью 3 нм по вертикали.

Crossbeam 550 исследует газящие и разрушающиеся под действием радиации образцы — полимеры, химические вещества, суспензии — при низких ускоряющих напряжениях в 20 В. Это увеличивает поверхностную чувствительность, уменьшает зарядку непроводящих образцов и повреждение чувствительных к пучку электронов образцов. В результате микроскоп исследует диэлектрические образцы с нанометровыми областями интереса без предварительной пробоподгототовки, что также ускоряет процесс ионной резки.

Внутрилинзовые детекторы вторичных и обратно-рассеянных электронов изображают поверхность образцов одновременно. Изотропное разрешение FIB-SEM томографа — 3 нм.

Конструкция колонны Crossbeam 550 минимизирует магнитные поля на поверхности образцов. Микроскоп изображает диа-, пара- или ферромагнитные образцы с разрешением 4 нм при рабочем расстоянии 2 мм и напряжении 1 кВ.

Электронная «оптика» получает предельные результаты и при работе опционального детектора СТЭМ: 0,6 нм при 30 кВ. Таким образом, большинство задач трансмиссионной (просвечивающей) электронной микроскопии (ТЭМ) Crossbeam 550 решает и без использования микроскопа ТЭМ.

Ионная колонна с галиевым источником автоматически режет и получает изображения с высокой точностью при низких ускоряющих напряжения, что гарантирует резку хрупких и не стойких к радиации образцов. Скоростью резки — ламель 50*20 мкм2 за 25 минут.

Опциональная электронная пушка для нейтрализации заряда на полупроводниковых образцах позволяет резать непроводящие материалы с высокой точностью и одновременно получать изображение поверхности.